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一、HiPIMS復(fù)合DC技術(shù)介紹
使用定制化高能脈沖復(fù)合電源，實(shí)現(xiàn)高功率脈沖磁控濺射技術(shù)（HiPIMS）的超高密度等離子體產(chǎn)生的高金屬離化率，同時(shí)復(fù)合直流磁控濺射（DCMS）的高濺射速率，直接在陶瓷/玻璃/光纖基板表面沉積金屬導(dǎo)電層?？伸`活控制濺射材料的離子原子比，實(shí)現(xiàn)控制膜層生長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)高致密性兼顧高沉積速率。
二、核心技術(shù)
針對(duì)金屬Cu，Ti，Cr，W等材質(zhì)，定制化高能脈沖復(fù)合等離子電源，個(gè)性化控制膜層生長(zhǎng)；
根據(jù)客戶要求定制化柱狀等離子體源和平面等離子體源，實(shí)現(xiàn)兼顧成本及效率提升；
特定優(yōu)化的等離子體增強(qiáng)表面活化，結(jié)合力最高達(dá)115N/mm2；
三、技術(shù)優(yōu)勢(shì)
1、高結(jié)合強(qiáng)度
傳統(tǒng)陶瓷基底上需鍍制Cr,Ti,W等打底層，以增強(qiáng)與陶瓷基底的結(jié)合力。針對(duì)特定需求，開發(fā)陶瓷基板表面直接鍍銅技術(shù)，能滿足高結(jié)合力要求，拉拔測(cè)試銅膜從陶瓷基底脫落，最高結(jié)合力達(dá)到115N/mm2.
2、高致密
定制化高能脈沖復(fù)合等離子體電源配合優(yōu)化的等離子體源，制備Cu膜形態(tài)致密，斷面沒(méi)有明顯晶界孔洞等缺陷，高致密銅膜結(jié)合力高，能制備超厚銅膜。
3、高表面平整性
特殊基底表面活化技術(shù)部損傷陶瓷基板粗糙度，沉積過(guò)程中，離子原子比靈活調(diào)控，能得到高平整度膜層表面，表面粗糙度能達(dá)到Ra=0.025um。
4、耐熱抗氧化性及焊接性能
陶瓷金屬化之后，銅膜400℃直接焊錫測(cè)試，焊接完之后，把錫液熔化，焊面平整光滑，未發(fā)生任何氣泡。經(jīng)395℃焊錫之后，上錫率能保證在95%以上，還能保持結(jié)合強(qiáng)度不發(fā)生退化。
5、微深孔覆蓋能力
四、應(yīng)用領(lǐng)域
應(yīng)用于高端陶瓷/玻璃封裝基板，實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)熱，高工作頻率，工作溫度，高結(jié)合強(qiáng)度等特殊應(yīng)用要求，同時(shí)對(duì)封裝基板復(fù)雜3D結(jié)構(gòu)，微深孔實(shí)現(xiàn)均勻覆蓋；光纖金屬化，實(shí)現(xiàn)宇航級(jí)高密封性能，高結(jié)合強(qiáng)度，高低溫的等應(yīng)用場(chǎng)景；鐵氧體及鈦酸鎂等陶瓷基底金屬化，實(shí)現(xiàn)高焊接性能，高頻信號(hào)傳輸?shù)葢?yīng)用。
陶瓷金屬化涂層介紹：
技術(shù)特點(diǎn)：
1、AEGD離子源清洗+HiPIMS技術(shù)制備Nb2O5,SiO2等，膜基結(jié)合力高。
3、HiPIMS+DC復(fù)合技術(shù)，反應(yīng)濺射不中毒，工藝窗口寬。
4、HiPIMS技術(shù)高離化率，膜層致密，折射率高，Si3N4折射率高達(dá)2.17。
微孔內(nèi)SEM電鏡
陶瓷金屬化涂層應(yīng)用實(shí)例：
陶瓷鍍銅斷面
陶瓷微深孔金屬化
陶瓷產(chǎn)品涂層
大面積陶瓷DLC涂層