0769-81001639
語(yǔ)言切換 
中文
高功率脈沖磁控濺射技術(shù)（上）
高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS)，由Kouznetsov1等人于1999年提出，是在脈沖功率技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種極有前途的磁控濺射技術(shù)。
高功率脈沖磁控濺射技術(shù)簡(jiǎn)介（下）
在磁控濺射技術(shù)中，可以通過(guò)控制沉積參數(shù)的變化，轉(zhuǎn)移到成膜粒子的能量，從而調(diào)控薄膜性質(zhì)28。在為生長(zhǎng)膜提供能量的各種方法中，電離物質(zhì)的轟擊被廣泛使用29,30。
HiPIMS利器新應(yīng)用-高熵合金薄膜制造
高熵合金氮化物薄膜是一種基于高熵合金設(shè)計(jì)理念的產(chǎn)物，在熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)上可以分別具有更低的吉布斯自由能和更小的元素?cái)U(kuò)散速率，抑制了金屬間化合物有序相的生成，促進(jìn)簡(jiǎn)單固溶體結(jié)構(gòu)甚至非晶相的形成。
采用脈沖直流PECVD工藝在長(zhǎng)管內(nèi)沉積DLC膜層
管道作為一種流體運(yùn)輸工具，管道內(nèi)表面經(jīng)常暴露在復(fù)雜的介質(zhì)中。這些流體中存在的污染物或腐蝕性元素會(huì)導(dǎo)致管道內(nèi)壁腐蝕破損，每年都會(huì)造成巨大的經(jīng)濟(jì)損失。
利用HiPIMS制備出的Ti-Si-N薄膜硬度可以達(dá)到66GPa！
Ti-Si-N是被認(rèn)為是一種高硬度的膜層，Veprek（1999）提出了一種結(jié)構(gòu)模型，認(rèn)為是非晶包含納米晶結(jié)構(gòu)。這有點(diǎn)類似于我們見(jiàn)到的瀝青和石頭混合路面結(jié)構(gòu)。這里的納米晶尺寸和非晶含量的多少是很講究的。太多不行，太少也不行。
雙極HiPIMS調(diào)控薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的離子能量
高功率脈沖磁控濺射技術(shù)（HiPIMS）相比傳統(tǒng)直流磁控濺(DCMS)，HiPIMS具有高等離子體密度、高金屬離化率，更高的離子流密度。但對(duì)于優(yōu)異的薄膜生長(zhǎng)來(lái)說(shuō)，僅有高離子流密度還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，為獲得更快的生長(zhǎng)速率與致密的膜層質(zhì)量，到達(dá)基底的離子能量也至關(guān)重要。
HiPIMS脈沖波形對(duì)輝光放電特性的影響
HiPIMS電源屬于脈沖電源的一種，通過(guò)降低占空比到低于10%，在相同功率情況下，可以使得磁控濺射峰值電流三個(gè)數(shù)量級(jí)的增加，本文將介紹脈沖波形對(duì)于輝光放電特性的影響，為控制不同靶材輝光特性及工藝優(yōu)化提供參考。